SK하이닉스, EUV 활용 10나노급 4세대 D램 본격 양산

SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

특히, 이번 제품은 SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV(극자외선을 이용해 빛을 투사해주는 장비) 공정 기술을 통해 양산된다는 의미가 있다. 앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

SK하이닉스는 이번 EUV 공정기술의 안정성을 확보한 만큼, 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산하겠다는 입장이다.

또 SK하이닉스는 신제품 생산성 향상으로 원가 경쟁력이 높아지는 효과를 기대하고 있다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 해줄 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.